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KSC2752 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：500V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
集电极电流（I_C）：0.5A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=0.3A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 80（M/L/K 三档）
与 2SA1156（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

KSC2752 是一款硅 NPN 高压功率三极管，具有 500V/400V 的高耐压与 0.5A 的电流能力，h_FE 线性度好，与 PNP 型 2SA1156 互补配对，适用于音频功率放大、高速高压开关以及电视机视频输出等工业应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	500	400	7	0.5	1.0	20	80	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=500V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=50mA；V_CE=5V	20	80	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.3A；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.3A；I_B=60mA	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=0.3A；I_B=60mA	--	1.2	V

h_FE-1 分档（I_C=50mA；V_CE=5V）

档位	M	L	K
h_FE 范围	20 ~ 40	30 ~ 60	40 ~ 80

应用

音频功率放大音频功率放大器（Audio Frequency Amplifier）输出级与驱动级应用。
高速高压开关工业设备中的高速高压开关（High Speed High Voltage Switching）应用。
视频输出级彩电/显示器视频输出（Video Output）等高耐压小信号放大级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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