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KSC1173 国产替代NPN Epitaxial Silicon Transistor

NPN Epitaxial Silicon Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：30V（Min）
集电极电流（I_C）：3A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：70 ~ 240 @ I_C=0.5A
集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat)：1.0V（Max）@ I_C=3A
与 KSA473 互补

低频功率放大与电源调整用 NPN 功率三极管。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	NPN	30	30	3	10	70~240	1.0

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	30	V
V_CEO	集电极-发射极电压	30	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
P_C	总耗散功率	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA; I_B=0	30	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=500µA; I_E=0	30	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA; I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=20V; I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V; I_C=0	--	1.0	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=0.5A; V_CE=2V	70	240	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=2.5A; V_CE=2V	25	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=3A; I_B=0.6A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=3A; I_B=0.6A	--	1.2	V

h_FE 分档

分档	O	Y
h_FE1	70 ~ 140	120 ~ 240

应用

低频功率放大器音频与通用低频功放输出级。
稳压电源串联调整管的功率调整元件。
通用开关电路继电器、电磁阀等中等电流负载驱动。
电机控制小功率直流电机的驱动与调速。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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