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KSB834W 国产替代PNP Silicon Epitaxial Transistor

PNP Silicon Epitaxial Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
集电极电流（I_C）：-3A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃（T_a=25℃ 时 1.5W）
直流电流增益 h_FE：60 ~ 200 @ I_C=-0.5A
集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat)：-1V（Max）@ I_C=-3A
与 KSD880W 互补
D²PAK-3（TO-263）贴片封装

低频功率放大用 PNP 外延平面三极管，与 KSD880W 组成互补对管。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
D²PAK-3(TO-263)	PNP	-60	-60	-3	30	60~200	-1

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流	-3	A
I_B	基极电流	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	30	W
P_C	集电极耗散功率 T_a=25℃	1.5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V; I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V; I_C=0	--	-100	µA
BV_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA; I_B=0	-60	--	V
h_FE1	直流电流增益	V_CE=-5V; I_C=-0.5A	60	200	--
h_FE2	直流电流增益	V_CE=-5V; I_C=-3A	20	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-3A; I_B=-0.3A	--	-1	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=-5V; I_C=-0.5A	-0.7	-1	V

h_FE 分档

分档	O	Y
h_FE1	60 ~ 120	100 ~ 200

应用

低频功率放大器音频功放输出级，与 KSD880W 组成互补推挽。
稳压电源串联调整电路中的调整管。
功率开关中等电流负载的开关驱动。
电机与继电器驱动低压直流负载的通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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