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KSB546 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-200V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-150V
集电极电流（I_C）：-2A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-0.5A，I_B=-0.05A
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 240 @ I_C=-0.4A
h_FE 分档：R（40~80）/ O（70~140）/ Y（120~240）
封装：TO-220F

KSB546 是一款 -150V / -2A 的 PNP 外延平面型功率三极管，采用 TO-220F 封装，饱和压降低、增益分组齐全，适用于电视垂直偏转输出、音频功放与通用开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220F	Single-P	-200	-150	-5	-2	25	-1.0	40	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-0.5mA；I_E=0	-200	--	V
V_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-150	--	V
V_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-0.5mA；I_C=0	-5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-0.05A	--	-1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-50	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.4A；V_CE=-10V	40	240	--
f_T	特征频率	I_C=-0.4A；V_CE=-10V	--	5	MHz

应用

垂直偏转输出CRT 电视/显示器的场输出级。
音频功率放大中小功率音频功放的输出级。
通用开关电路PNP 高边开关与电平转换。
稳压电源串联稳压与恒流源电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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