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KSA1142 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-180V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极电流（I_C）：-100mA
集电极耗散功率（P_C）：8W @ T_C=25℃（1.2W @ T_a=25℃）
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 320 @ I_C=-10mA
特征频率（f_T）：180MHz（Min）
输出电容（C_ob）：7pF（Max）
与 KSC2682（NPN）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

KSA1142 是一款硅 PNP 外延平面功率三极管，具有 -180V 的集电极-发射极击穿电压、-100mA 电流能力与 180MHz 的特征频率，噪声低、增益线性度好，与 NPN 型 KSC2682 互补配对，适用于音频功率放大与高频功率放大场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	180	180	5	0.1	0.5	100	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-180	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	8	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.2	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-180V；I_E=0	--	-1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3V；I_C=0	--	-1	µA
h_FE1	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-1mA	90	200	--
h_FE2	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-10mA	100	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-50mA；I_B=-5mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-50mA；I_B=-5mA	--	-1.5	V
f_T	特征频率	V_CE=-10V；I_C=-20mA	180	--	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	7	pF
NF	噪声系数	V_CE=-10V；I_C=-1mA；R_S=10kΩ；f=1MHz	--	4	dB

h_FE 分档

O	Y
100 ~ 200	160 ~ 320

应用

音频功率放大音频功率放大器（Audio Frequency Power Amplifier）应用。
高频功率放大高频功率放大器（High Frequency Power Amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

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