当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

J6920Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：1500V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：800V（Min）
集电极电流（I_C）：20A（脉冲 30A）
低饱和压降：V_CE(sat)=3.0V（Max）@ I_C=11A
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：5.5 ~ 8.5 @ I_C=11A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.625℃/W
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

J6920 是一款硅 NPN 高反压大电流功率三极管，具有 1500V 的集电极-基极电压、800V 的集电极-发射极击穿电压、20A 的集电极电流与 200W 的耗散功率，饱和压降低、开关速度快，适用于彩色显示器行偏转输出及高反压脉冲开关等场景。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-N	1500	800	6	20	3.0	5.5	8.5	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	20	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	30	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	-50 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-50 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.625	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=500µA；I_E=0	1500	--	V
V_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=5mA；I_B=0	800	--	V
V_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=500µA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=11A；I_B=2.75A	--	3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=11A；I_B=2.75A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_E=0	--	10	µA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=1400V；R_BE=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=11A；V_CE=5V	5.5	8.5	--

应用

显示器行偏转输出彩色显示器行偏转输出（Color display horizontal deflection output）应用。
高反压脉冲开关高反压脉冲开关电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号