IXYH82N120C3 国产替代High-Speed IGBT (GenX3 XPT)

High-Speed IGBT (GenX3 XPT) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CES）：1200V
集电极电流（I_C）：82A @ T_C=110℃（160A @ T_C=25℃）
脉冲集电极电流（I_CM）：320A
饱和压降（V_CE(sat)）：3.2V（Max）@ I_C=82A、V_GE=15V
栅极-发射极电压（V_GES）：±20V（瞬态 ±30V）
耗散功率（P_C）：1040W @ T_C=25℃
关断电流下降时间（t_fi）：93ns（Typ）
低开关损耗、正温度系数、雪崩额定
封装：TO-247AD

IXYH82N120C3 是一款 1200V / 82A 的高速 IGBT（GenX3 XPT 技术），采用 TO-247AD 封装，饱和压降 3.2V、关断下降时间 93ns，具有正温度系数与方型 RBSOA，适用于高频功率逆变器、UPS、电机驱动、开关电源与 PFC 电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CES (V)	V_GES (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	V_GE(th) (V)	Structure
TO-247AD	1200	±20	82	320	1040	3.2	2.5 ~ 4.5	N-Channel IGBT

绝对最大额定值（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	数值	单位
V_CES	集电极-发射极电压	1200	V
V_CGR	集电极-栅极电压（R_GE=1MΩ）	1200	V
V_GES	栅极-发射极电压（连续）	±20	V
V_GEM	栅极-发射极电压（瞬态）	±30	V
I_C25	集电极电流 @ T_C=25℃	160	A
I_C110	集电极电流 @ T_C=110℃	82	A
I_CM	脉冲集电极电流（1ms）	320	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	1040	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CES	集电极-发射极击穿电压	I_C=250µA；V_GE=0	1200	--	V
V_GE(th)	栅极阈值电压	I_C=250µA；V_CE=V_GE	2.5	4.5	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=V_CES；V_GE=0	--	25	µA
I_GES	栅极漏电流	V_CE=0；V_GE=±20V	--	±100	nA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=82A；V_GE=15V	--	3.2	V
t_fi	关断电流下降时间（典型值）	I_C=82A；V_CE=600V；R_G=2Ω	--	93	ns

应用

高频功率逆变器高频功率逆变器（High frequency power inverters）。
不间断电源UPS 整流与逆变功率级。
电机驱动电机驱动（Motor drives）。
开关电源与 PFCSMPS 与 PFC 电路（PFC circuits）功率开关。
焊接与充电焊接机（Welding machines）与电池充电器（Battery chargers）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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