N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IXTT82N25P 是一款 N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET（Polar 系列），为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDS (V) | VGS (±V) | Vth (V) | ID (A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-268 | Single-N | 250 | ±20 | 2.5~5.0 | 82 | — | — | 38 (mΩ) | N-Ch Enhancement Mode |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压（TJ=25~150℃） | 250 | V |
| VDGR | 漏-栅电压（TJ=25~150℃，RGS=1MΩ） | 250 | V |
| VGSS | 栅-源电压（连续） | ±20 | V |
| VGSM | 栅-源电压（瞬态） | ±30 | V |
| ID25 | 连续漏极电流（TC=25℃） | 82 | A |
| IL(RMS) | 外部引线电流限值 | 75 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（TC=25℃，脉宽受结温限制） | 200 | A |
| PD | 总耗散功率（TC=25℃） | 500 | W |
| TJ | 工作结温范围 | -55 ~ +150 | ℃ |
| TJM | 最大结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ +150 | ℃ |
| TL | 引线焊接温度（距外壳 1.6mm，10s） | 300 | ℃ |
| TSOLD | 塑封体焊接温度（10s） | 260 | ℃ |
| Md | 安装扭矩（TO-3P & TO-264） | 1.13 / 10 | Nm / lb.in |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RthJC | 结-壳热阻 | 0.25 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V，ID=250µA | 250 | -- | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS，ID=250µA | 2.5 | -- | 5.0 | V |
| IGSS | 栅-源漏电流 | VGS=±20V，VDS=0V | -- | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V | -- | -- | 25 | µA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V，TJ=125℃ | -- | -- | 250 | µA |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V，ID=0.5 ID25，Note 1 | -- | -- | 38 | mΩ |
| gfs | 正向跨导 | VDS=10V，ID=0.5 ID25，Note 1 | 30 | 52 | -- | S |
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 4800 | -- | pF |
| Coss | 输出电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 900 | -- | pF |
| Crss | 反向传输电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 210 | -- | pF |
| td(on) | 导通延迟时间 | VGS=10V，VDS=0.5 VDSS，ID=0.5 ID25，RG=1Ω | -- | 29 | -- | ns |
| tr | 上升时间 | 同上 | -- | 20 | -- | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | 同上 | -- | 78 | -- | ns |
| tf | 下降时间 | 同上 | -- | 22 | -- | ns |
| Qg(on) | 总栅极电荷 | VGS=10V，VDS=0.5 VDSS，ID=0.5 ID25 | -- | 142 | -- | nC |
| Qgs | 栅-源电荷 | 同上 | -- | 32 | -- | nC |
| Qgd | 栅-漏电荷 | 同上 | -- | 74 | -- | nC |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IS | 连续源极电流（体二极管） | VGS=0V，Note 1 | -- | 82 | A |
| ISM | 重复峰值源极电流 | Repetitive，脉宽受结温限制 | -- | 328 | A |
| VSD | 正向导通电压 | IF=IS，VGS=0V，Note 1 | -- | 1.4 | V |
| trr | 反向恢复时间 | IF=25A，-di/dt=100A/µs，VGS=0V | 200 | -- | ns |
| QRM | 反向恢复电荷 | VR=100V，VGS=0V | 2.0 | -- | µC |
Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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