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IXTT80N20L 国产替代N-Channel Linear MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET（Linear / Extended FBSOA）｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型，专为线性工作设计（Linear MOSFET，扩展 FBSOA）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：200V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）；瞬态 ±30V
连续漏极电流（I_D25）：80A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 340A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤32mΩ @ V_GS=10V，I_D=0.5 I_D25
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
总耗散功率（P_D）：520W @ T_C=25℃
正向偏置安全工作区（FBSOA）：保证 75℃ 下的扩展 FBSOA
封装：TO-268

IXTT80N20L 是一款专为线性工作设计的 N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET（Linear 系列，扩展 FBSOA），为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N	200	±20	2.0~4.0	80	—	—	32 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	200	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	80	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	340	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	520	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.24	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	200	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.0	--	4.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	25	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=125℃	--	--	250	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=0.5 I_D25，Note 1	--	--	32	mΩ

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=I_S，V_GS=0V，Note 1	--	1.5	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

固态断路器（Solid State Circuit Breakers）利用扩展 FBSOA 承受高电压大电流同时作用的应力，实现无触点分断与限流保护。
软启动控制（Soft-Start Controls）在线性区缓慢建立电流，抑制上电浪涌与冲击电流。
线性放大器（Linear Amplifiers）音频/功率线性放大输出级、高压放大器与恒流源偏置。
可编程负载（Programmable Loads）电子负载、恒流/恒功率吸收与老化测试设备。
电流调节器（Current Regulators）恒流源、电流稳定电路；亦适用于风扇调速（Fan Controllers）。
开关/谐振模式电源（SMPS）DC/DC 变换器、开关模式与谐振模式电源的功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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