P-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IXTT76P10THV 是一款 -100V / -76A 的 P 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺系列），适用于高压侧开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDS (V) | VGS (±V) | Vth (V) | ID (A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-268HV | Single-P | -100 | ±15 | -2.0~-4.0 | -76 | — | — | 25 (mΩ) | P-Ch Enhancement Mode |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压（TJ=25~150℃） | -100 | V |
| VDGR | 漏-栅电压（TJ=25~150℃，RGS=1MΩ） | -100 | V |
| VGSS | 栅-源电压（连续） | ±15 | V |
| VGSM | 栅-源电压（瞬态） | ±25 | V |
| ID25 | 连续漏极电流（TC=25℃） | -76 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（TC=25℃，脉宽受结温限制） | -230 | A |
| IA | 雪崩电流（TC=25℃） | -38 | A |
| EAS | 单脉冲雪崩能量（TC=25℃） | 1 | J |
| PD | 总耗散功率（TC=25℃） | 298 | W |
| TJ | 工作结温范围 | -55 ~ +150 | ℃ |
| TJM | 最大结温 | +150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ +150 | ℃ |
| TL | 引线焊接温度（10s） | 300 | ℃ |
| TSOLD | 塑封体焊接温度（距外壳 1.6mm，10s） | 260 | ℃ |
| Weight | 重量（TO-268HV） | 4 | g |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RthJC | 结-壳热阻 | 0.42 | ℃/W |
| RthCS（TO-247） | 壳-散热器热阻 | 0.21 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V，ID=-250µA | -100 | -- | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS，ID=-250µA | -2.0 | -- | -4.0 | V |
| IGSS | 栅-源漏电流 | VGS=±15V，VDS=0V | -- | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V | -- | -- | -15 | µA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V，TJ=125℃ | -- | -- | -750 | µA |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=-10V，ID=0.5 ID25，Note 1 | -- | -- | 25 | mΩ |
| gfs | 正向跨导 | VDS=-10V，ID=0.5 ID25，Note 1 | 35 | -- | 58 | S |
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V，VDS=-25V，f=1MHz | -- | 13700 | -- | pF |
| Coss | 输出电容 | VGS=0V，VDS=-25V，f=1MHz | -- | 890 | -- | pF |
| Crss | 反向传输电容 | VGS=0V，VDS=-25V，f=1MHz | -- | 275 | -- | pF |
| td(on) | 导通延迟时间 | VGS=-10V，VDS=0.5 VDSS，ID=0.5 ID25，RG=1Ω | -- | 25 | -- | ns |
| tr | 上升时间 | 同上 | -- | 40 | -- | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | 同上 | -- | 52 | -- | ns |
| tf | 下降时间 | 同上 | -- | 20 | -- | ns |
| Qg(on) | 总栅极电荷 | VGS=-10V，VDS=0.5 VDSS，ID=0.5 ID25 | -- | 197 | -- | nC |
| Qgs | 栅-源电荷 | 同上 | -- | 65 | -- | nC |
| Qgd | 栅-漏电荷 | 同上 | -- | 65 | -- | nC |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IS | 连续源极电流（体二极管） | VGS=0V | -- | -76 | A |
| ISM | 重复峰值源极电流 | Repetitive，脉宽受结温限制 | -- | -304 | A |
| VSD | 正向导通电压 | IF=-38A，VGS=0V，Note 1 | -1.3 | -- | V |
| trr | 反向恢复时间 | IF=-38A，-di/dt=-100A/µs，VR=-50V，VGS=0V | 70 | -- | ns |
| QRM | 反向恢复电荷 | 同上 | 215 | -- | nC |
| IRM | 反向恢复峰值电流 | 同上 | -6 | -- | A |
Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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