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IXTT60N20L2 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）
系列：L2（Linear，线性工作型，见 ISC 产品目录分类）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：200V
最大栅极-源极电压（V_GS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D）：60A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 150A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤45mΩ @ V_GS=10V，I_D=30A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.5 ~ 4.5V
总耗散功率（P_D）：540W @ T_C=25℃
开关速度快（Fast Switching），100% 雪崩测试
封装：TO-268

IXTT60N20L2 是一款 200V / 60A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET（L2 线性系列），具快速开关与 100% 雪崩测试能力，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N	200	±20	2.5~4.5	60	—	—	45 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	200	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流	60	A
I_DM	脉冲漏极电流	150	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	540	W
T_j	最大工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.23	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=1mA	200	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.5	4.5	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=30A	--	45	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=200V，V_GS=0V	--	5	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=200V，V_GS=0V，T_J=125℃	--	50	µA

源-漏二极管特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	二极管正向导通电压	I_F=60A，V_GS=0V	--	1.4	V

应用

开关电压调节器开关型电压调节与稳压电路，手册列明的主要应用方向。
开关电源与 DC-DC 变换器200V 耐压适配离线式/车载开关电源功率级。
电机驱动与变频控制中小功率电机驱动、直流斩波与调速场合。
逆变器与 UPS逆变桥臂开关，用于不间断电源与储能变流设备。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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