N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IXTT500N04T2 是一款 40V / 500A 的超低导通电阻 N 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺系列），面向超大电流开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDS (V) | VGS (±V) | Vth (V) | ID (A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-268 | Single-N | 40 | ±20 | 1.5~3.5 | 500 | — | — | 1.6 (mΩ) | N-Ch Enhancement Mode |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压（TJ=25~175℃） | 40 | V |
| VDGR | 漏-栅电压（TJ=25~175℃，RGS=1MΩ） | 40 | V |
| VGSM | 栅-源电压（瞬态） | ±20 | V |
| ID25 | 连续漏极电流（TC=25℃，芯片能力） | 500 | A |
| ILRMS | 引线电流限制（RMS） | 160 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（TC=25℃，脉宽受结温限制） | 1250 | A |
| IA | 雪崩电流（TC=25℃） | 100 | A |
| EAS | 单脉冲雪崩能量（TC=25℃） | 800 | mJ |
| PD | 总耗散功率（TC=25℃） | 1000 | W |
| TJ | 工作结温范围 | -55 ~ +175 | ℃ |
| TJM | 最大结温 | +175 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ +175 | ℃ |
| TL | 引线焊接温度（距外壳 1.6mm，10s） | 300 | ℃ |
| TSOLD | 塑封体焊接温度（10s） | 260 | ℃ |
| Md | 安装扭矩（TO-247） | 1.13 / 10 | Nm / lb.in |
| Weight | 重量（TO-268） | 4 | g |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RthJC | 结-壳热阻 | 0.15 | ℃/W |
| RthCH | 壳-散热器热阻（TO-247） | 0.21 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V，ID=1mA | 40 | -- | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS，ID=250µA | 1.5 | -- | 3.5 | V |
| IGSS | 栅-源漏电流 | VGS=±20V，VDS=0V | -- | -- | ±200 | nA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V | -- | -- | 10 | µA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V，TJ=150℃ | -- | -- | 750 | µA |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V，ID=100A，Notes 1 & 2 | -- | -- | 1.6 | mΩ |
| gfs | 正向跨导 | VDS=10V，ID=60A，Note 1 | 75 | 125 | -- | S |
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 25000 | -- | pF |
| Coss | 输出电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 4410 | -- | pF |
| Crss | 反向传输电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 970 | -- | pF |
| RGi | 栅极输入电阻 | -- | -- | 1.1 | -- | Ω |
| td(on) | 导通延迟时间 | VGS=10V，VDS=0.5 VDSS，ID=200A，RG=1Ω | -- | 37 | -- | ns |
| tr | 上升时间 | 同上 | -- | 16 | -- | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | 同上 | -- | 68 | -- | ns |
| tf | 下降时间 | 同上 | -- | 44 | -- | ns |
| Qg(on) | 总栅极电荷 | VGS=10V，VDS=0.5 VDSS，ID=0.5 ID25 | -- | 405 | -- | nC |
| Qgs | 栅-源电荷 | 同上 | -- | 105 | -- | nC |
| Qgd | 栅-漏电荷 | 同上 | -- | 118 | -- | nC |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IS | 连续源极电流（体二极管） | VGS=0V | -- | 500 | A |
| ISM | 重复峰值源极电流 | Repetitive，脉宽受结温限制 | -- | 1500 | A |
| VSD | 正向导通电压 | IF=100A，VGS=0V，Note 1 | 1.2 | -- | V |
| trr | 反向恢复时间 | IF=100A，-di/dt=100A/µs，VR=20V | 84 | -- | ns |
| IRM | 反向恢复峰值电流 | 同上 | 3.1 | -- | A |
| QRM | 反向恢复电荷 | 同上 | 130 | -- | nC |
Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。Note 2：RDS(on) 含引线电阻。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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