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IXTT48P20P 国产替代P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：P 沟道增强型（P-Channel Enhancement Mode），耐雪崩（Avalanche Rated）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：-200V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）；瞬态 ±30V
连续漏极电流（I_D25）：-48A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM -144A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤85mΩ @ V_GS=-10V，I_D=0.5 I_D25
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.0 ~ -4.0V
总耗散功率（P_D）：462W @ T_C=25℃
封装：TO-268

IXTT48P20P 是一款 P 沟道增强型（P-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET（PolarP 系列），为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-P	-200	±20	-2.0~-4.0	-48	—	—	85 (mΩ)	P-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	-200	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	-48	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	-144	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	462	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.27	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=-250µA	-200	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=-250µA	-2.0	--	-4.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	-25	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=125℃	--	--	-200	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V，I_D=0.5 I_D25，Note 1	--	--	85	mΩ

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=-24A，V_GS=0V，Note 1	--	-3.3	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

高端开关（High-Side Switches）P 沟道器件可直接控制正电源侧，省去高端栅极驱动电路，简化电源切换与电源管理设计。
推挽放大器（Push Pull Amplifiers）音频与功率推挽输出级、CMOS 高压放大器。
DC-DC / DC-AC 变换器Buck 变换器、直流斩波器（DC Choppers）与各类功率变换电路。
电池充电与电源切换电池充电器、固态继电器（SSR）、电源切断开关与节能型电源管理。
自动测试设备（ATE）测试系统中的大电流开关与负载切换。
电流调节器（Current Regulators）恒流源与大电流调节电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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