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IXTT36N50P 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

最大漏极-源极电压（V_DSS）：500V
最大栅极-源极电压（V_GS）：±30V（连续）；瞬态 ±40V
连续漏极电流（I_D25）：36A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 108A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤170mΩ @ V_GS=10V，I_D=0.5 I_D25
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
总耗散功率（P_D）：540W @ T_C=25℃
封装：TO-268

IXTT36N50P 是一款 N 沟道增强型（Enhancement Mode）功率 MOSFET，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N	500	30	3.0~5.0	36	—	—	170 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	500	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	36	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	108	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	540	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.23	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	500	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	3.0	--	5.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±30V_DC，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	25	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=125℃	--	--	250	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=0.5 I_D25（脉冲测试）	--	--	170	mΩ

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=I_S，V_GS=0V	--	1.5	V

应用

开关电源（SMPS）500V 耐压适合离线式 AC-DC 的主开关管，如反激、正激、半桥拓扑。
DC-DC 变换器高压侧开关、同步整流与升降压变换电路。
电机驱动（Motor Drives）变频器、伺服与无刷直流电机的功率级开关。
逆变器 / UPS光伏并网与储能逆变、不间断电源的功率变换级。
功率因数校正（PFC）升压型 PFC 主开关，高压、大电流场合。
充电与电源管理电池充电器、电子负载及各类高压开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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