N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IXTT30N60L2 是一款 N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET（Linear L2 系列，扩展 FBSOA），为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDS (V) | VGS (±V) | Vth (V) | ID (A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-268 | Single-N | 600 | ±20 | 2.5~4.5 | 30 | — | — | 240 (mΩ) | N-Ch Enhancement Mode |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压（TJ=25~150℃） | 600 | V |
| VGSS | 栅-源电压（连续） | ±20 | V |
| ID25 | 连续漏极电流（TC=25℃） | 30 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（TC=25℃，脉宽受结温限制） | 80 | A |
| PD | 总耗散功率（TC=25℃） | 540 | W |
| TJ | 工作结温范围 | -55 ~ +150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ +150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RthJC | 结-壳热阻 | 0.23 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V，ID=1mA | 600 | -- | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS，ID=250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
| IGSS | 栅-源漏电流 | VGS=±20V，VDS=0V | -- | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V | -- | -- | 50 | µA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V，TJ=125℃ | -- | -- | 300 | µA |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V，ID=0.5 ID25，Note 1 | -- | -- | 240 | mΩ |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VSD | 正向导通电压 | IF=IS，VGS=0V，Note 1 | -- | 1.5 | V |
Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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