N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IXTT220N20X4HV 是一款 200V / 220A 的 N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET（超结技术系列），具备低栅极电荷、低导通电阻、低热阻与高雪崩能力，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDS (V) | VGS (±V) | Vth (V) | ID (A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-268HV | Single-N | 200 | ±20 | 2.5~4.5 | 220 | — | — | 5.5 (mΩ) | N-Ch Enhancement Mode |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压（TJ=25~175℃） | 200 | V |
| VDGR | 漏-栅电压（TJ=25~175℃，RGS=1MΩ） | 200 | V |
| VGSS | 栅-源电压（连续） | ±20 | V |
| VGSM | 栅-源电压（瞬态） | ±30 | V |
| ID25 | 连续漏极电流（TC=25℃） | 220 | A |
| IL(RMS) | 外引线电流限制 | 160 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（TC=25℃，脉宽受结温限制） | 400 | A |
| IA | 雪崩电流（TC=25℃） | 110 | A |
| EAS | 单脉冲雪崩能量（TC=25℃） | 900 | mJ |
| dv/dt | 电压变化率（IS≤IDM，VDD≤VDSS，TJ≤150℃） | 50 | V/ns |
| PD | 总耗散功率（TC=25℃） | 800 | W |
| TJ | 工作结温范围 | -55 ~ +175 | ℃ |
| TJM | 最大结温 | +175 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ +175 | ℃ |
| TSOLD | 塑封体焊接温度（10s） | 260 | ℃ |
| Weight | 重量 | 4 | g |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RthJC | 结-壳热阻 | 0.19 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V，ID=250µA | 200 | -- | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS，ID=250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
| IGSS | 栅-源漏电流 | VGS=±20V，VDS=0V | -- | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V | -- | -- | 10 | µA |
| IDSS | 漏极关断电流 | VDS=VDSS，VGS=0V，TJ=150℃ | -- | -- | 1.5 | mA |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V，ID=0.5 ID25，Note 1 | -- | 4.1 | 5.5 | mΩ |
| gfs | 正向跨导 | VDS=10V，ID=60A，Note 1 | 90 | 150 | -- | S |
| RGi | 栅极输入电阻 | -- | -- | 1.6 | -- | Ω |
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 12300 | -- | pF |
| Coss | 输出电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 1650 | -- | pF |
| Crss | 反向传输电容 | VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz | -- | 5.4 | -- | pF |
| Co(er) | 能量相关有效输出电容 | VGS=0V，VDS=0.8 VDSS | -- | 900 | -- | pF |
| Co(tr) | 时间相关有效输出电容 | VGS=0V，VDS=0.8 VDSS | -- | 3400 | -- | pF |
| td(on) | 导通延迟时间 | VGS=10V，VDS=0.5 VDSS，ID=0.5 ID25，RG=2Ω | -- | 30 | -- | ns |
| tr | 上升时间 | 同上 | -- | 15 | -- | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | 同上 | -- | 87 | -- | ns |
| tf | 下降时间 | 同上 | -- | 6 | -- | ns |
| Qg(on) | 总栅极电荷 | VGS=10V，VDS=0.5 VDSS，ID=0.5 ID25 | -- | 157 | -- | nC |
| Qgs | 栅-源电荷 | 同上 | -- | 50 | -- | nC |
| Qgd | 栅-漏电荷 | 同上 | -- | 46 | -- | nC |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IS | 连续源极电流（体二极管） | VGS=0V | -- | 220 | A |
| ISM | 重复峰值源极电流 | Repetitive，脉宽受结温限制 | -- | 880 | A |
| VSD | 正向导通电压 | IF=100A，VGS=0V，Note 1 | -- | 1.4 | V |
| trr | 反向恢复时间 | IF=110A，-di/dt=100A/µs，VR=100V | 140 | -- | ns |
| QRM | 反向恢复电荷 | 同上 | 770 | -- | nC |
| IRM | 反向恢复峰值电流 | 同上 | 11 | -- | A |
Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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