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IXTT20P50P 国产替代P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：P 沟道增强型（P-Channel Enhancement Mode）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：-500V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D）：-20A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM -60A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤450mΩ @ V_GS=-10V，I_D=-10A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.0 ~ -4.5V
总耗散功率（P_D）：460W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.27℃/W
封装：TO-268

IXTT20P50P 是一款 -500V / -20A 的 P 沟道增强型（P-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET，适用于高压侧开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-P	-500	±20	-2.0~-4.5	-20	—	—	450 (mΩ)	P-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	-500	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流	-20	A
I_DM	脉冲漏极电流	-60	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	460	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.27	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=-0.25mA	-500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=-0.25mA	-2.0	-4.5	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V，I_D=-10A	--	450	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=-500V，V_GS=0V	--	-25	µA

源-漏二极管特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_S=-10A，V_GS=0V	--	-2.8	V

应用

高边开关（High-Side Switch）接在电源正端的高压侧负载通断，简化高压侧驱动与电源管理。
推挽功率放大器P 沟道管作为推挽输出级的上管，配对大功率推挽功放电路。
直流斩波器（DC Chopper）直流电机调速与直流斩波调压场合的功率开关。
高压侧驱动与电容充电电路高压母线侧的开关与储能电容充电限流控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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