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IXTT170N10P 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode），耐雪崩（Avalanche Rated）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：100V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）；瞬态 ±30V
连续漏极电流（I_D25）：170A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 350A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤9mΩ @ V_GS=10V，I_D=0.5 I_D25
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.5 ~ 5.0V
总耗散功率（P_D）：715W @ T_C=25℃
封装：TO-268

IXTT170N10P 是一款 N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET（Polar 系列），为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N	100	±20	2.5~5.0	170	—	—	9 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~175℃）	100	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	170	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	350	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	715	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.21	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	100	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.5	--	5.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	25	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=150℃	--	--	250	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=0.5 I_D25，Note 1	--	--	9	mΩ
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=15V，I_D=350A	--	7	--	mΩ

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=I_S，V_GS=0V，Note 1	--	1.5	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

开关模式与谐振模式电源（SMPS）低 R_DS(on) 与低栅荷带来更高效率的开关，适用于正激、反激及谐振拓扑。
DC-DC 变换器低压大电流同步整流与降压/升压变换电路。
交流/直流电机驱动低压大电流电机驱动、功率级开关。
机器人与伺服控制伺服驱动器、机器人关节与运动控制功率级。
激光驱动器激光泵浦与脉冲电流开关。
电池充电器与照明镇流器大电流充电电路、电子镇流器与负载开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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