当前位置：首页 / 产品 / MOSFET 单管

IXTT16N50D2 国产替代N-Channel Depletion Mode MOSFET

N-Channel Depletion Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道耗尽型（N-Channel Depletion Mode），常开（Normally ON）
系列：D2 耗尽型功率 MOSFET，零栅压即可导通，负压关断
最大漏极-源极电压（V_DSX）：500V
最大栅极-源极电压（V_GSX）：±20V（连续）；瞬态 V_GSM ±30V
最小导通漏极电流（I_D(on)）：16A @ V_GS=0V，V_DS=25V
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤300mΩ @ V_GS=0V，I_D=8A
夹断电压（V_GS(off)）：-2.0 ~ -4.0V
总耗散功率（P_D）：695W @ T_C=25℃
模塑环氧树脂通过 UL 94 V-0 阻燃等级
封装：TO-268

IXTT16N50D2 是一款 500V / 16A 的 N 沟道耗尽型（Depletion Mode）功率 MOSFET，常开特性适合启动、保护与恒流等电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N (Depletion)	500	±20	-2.0~-4.0	16	—	—	—	N-Ch Depletion Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSX	漏-源电压（T_J=25~150℃）	500	V
V_DGX	漏-栅电压（T_J=25~150℃，R_GS=1MΩ）	500	V
V_GSX	栅-源电压（连续）	±20	V
V_GSM	栅-源电压（瞬态）	±30	V
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	695	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_JM	最大结温	+150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃
T_L	引线焊接温度（10s）	300	℃
T_SOLD	塑封体焊接温度（距外壳 1.6mm，10s）	260	℃
M_d	安装扭矩（TO-247）	1.13 / 10	Nm / lb.in
Weight	重量（TO-268）	4	g

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.18	℃/W
R_thCS（TO-247）	壳-散热器热阻	0.21	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSX	漏-源击穿电压	V_GS=-5V，I_D=250µA	500	--	--	V
V_GS(off)	夹断电压（栅极截止电压）	V_DS=25V，I_D=4mA	-2.0	--	-4.0	V
I_GSX	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSX(off)	漏极关断电流	V_DS=V_DSX，V_GS=-5V	--	--	10	µA
I_DSX(off)	漏极关断电流	V_DS=V_DSX，V_GS=-5V，T_J=125℃	--	--	150	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=0V，I_D=8A，Note 1	--	--	300	mΩ
I_D(on)	导通漏极电流（最小值）	V_GS=0V，V_DS=25V，Note 1	16	--	--	A
g_fs	正向跨导	V_DS=30V，I_D=8A，Note 1	7	12	--	S
C_iss	输入电容	V_GS=-10V，V_DS=25V，f=1MHz	--	5250	--	pF
C_oss	输出电容	V_GS=-10V，V_DS=25V，f=1MHz	--	515	--	pF
C_rss	反向传输电容	V_GS=-10V，V_DS=25V，f=1MHz	--	130	--	pF
t_d(on)	导通延迟时间	V_GS=±5V，V_DS=250V，I_D=8A，R_G=3.3Ω	--	50	--	ns
t_r	上升时间	同上	--	173	--	ns
t_d(off)	关断延迟时间	同上	--	203	--	ns
t_f	下降时间	同上	--	220	--	ns
Q_g(on)	总栅极电荷	V_GS=±5V，V_DS=250V，I_D=8A	--	199	--	nC
Q_gs	栅-源电荷	同上	--	18	--	nC
Q_gd	栅-漏电荷	同上	--	100	--	nC

安全工作区（SOA）

符号	测试条件	数值	单位
SOA	V_DS=500V，I_D=0.5A，T_C=75℃，t_p=5s	250	W

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=16A，V_GS=-10V，Note 1	0.8	1.3	V
t_rr	反向恢复时间	I_F=8A，-di/dt=100A/µs，V_R=100V，V_GS=-10V	695	--	ns
I_RM	反向恢复峰值电流	同上	20	--	A
Q_RM	反向恢复电荷	同上	7	--	µC

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

音频放大器常开特性适合功放的偏置与恒流源级。
启动电路（Start-up Circuits）上电即导通，为高压侧控制芯片提供启动偏置电流。
保护电路欠压/过流保护中的常通路与关断控制。
斜坡发生器（Ramp Generators）配合电容构成线性充电的斜坡电压发生器。
电流调节器与有源负载零栅压恒流特性适合恒流调节与程控有源负载。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号