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IXTT16N20D2 国产替代N-Channel Depletion Mode MOSFET

N-Channel Depletion Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

最大漏极-源极电压（V_DSS）：200V
最大栅极-源极电压（V_GS）：±20V（连续）
栅极关断电压（V_GS(off)）：-2.0 ~ -4.5V（V_DS=25V，I_D=4mA）
连续漏极电流（I_D）：16A @ T_C=25℃
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：80mΩ（Max）@ V_GS=0V，I_D=8A
总耗散功率（P_D）：695W @ T_C=25℃
封装：TO-268

IXTT16N20D2 是一款 N 沟道耗尽型（Depletion Mode）功率 MOSFET，常开型（Normally-ON）工作，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N	200	±20	-2.0~-4.5	16	—	—	80 (mΩ)@0V	N-Ch Depletion Mode

注：本器件为耗尽型（Depletion Mode），R_DS(on) 在 V_GS=0V 条件下测得（80mΩ Max @ I_D=8A）。

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	200	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流	16	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	695	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.18	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	200	--	--	V
V_GS(off)	栅极关断电压	V_DS=25V，I_D=4mA	-2.0	--	-4.5	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=200V，V_GS=-5V	--	--	5.0	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=0V，I_D=8A	--	--	80	mΩ

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_S=16A，V_GS=-10V	--	1.3	V

应用

音频放大器（Audio Amplifiers）功率音频放大输出级、恒流源偏置、甲类放大电路。
启动电路（Start-up Circuits）开关电源/逆变器的启动与自举电路、常开型预充电回路。
保护电路（Protection Circuits）过流/过压保护、限流保护、软启动电路。
斜坡发生器（Ramp Generators）恒流充电斜坡信号生成、定时与波形发生电路。
电流调节器（Current Regulators）恒流源、电流稳定与调节电路。
有源负载（Active Loads）放大器有源负载、电子负载、恒流测试电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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