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IXTT140P10T 国产替代P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：P 沟道增强型（P-Channel Enhancement Mode）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：-100V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±15V（连续）
连续漏极电流（I_D）：-140A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM -400A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤10mΩ @ V_GS=-10V，I_D=-70A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.0 ~ -4.0V
总耗散功率（P_D）：568W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.22℃/W
封装：TO-268

IXTT140P10T 是一款 -100V / -140A 的低导通电阻 P 沟道增强型（P-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET，适用于高压侧开关与大电流斩波场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-P	-100	±15	-2.0~-4.0	-140	—	—	10 (mΩ)	P-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	-100	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±15	V
I_D	连续漏极电流	-140	A
I_DM	脉冲漏极电流（单脉冲）	-400	A
P_D	总耗散功率	568	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.22	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=-0.25mA	-100	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V，I_D=-70A	--	10	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±15V，V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=-100V，V_GS=0V	--	-10	µA

源-漏二极管特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_S=-100A，V_GS=0V	--	-1.4	V

应用

高边开关（High-Side Switching）接在电源正端的高压侧负载通断，简化高压侧驱动设计与电源管理。
直流斩波器（DC Chopper）低导通电阻适合大电流直流斩波、直流电机调速与调压场合。
自动测试设备（ATE）测试系统中的大电流负载切换与程控电源开关通道。
电池供电设备电源通断-100V / -140A 等级适合电池组与母线侧的大电流开关控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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