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IXTT120N15P 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：150V
最大栅极-源极电压（V_GS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D）：120A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 260A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤16mΩ @ V_GS=10V，I_D=60A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3 ~ 5V
总耗散功率（P_D）：600W @ T_C=25℃
开关速度快（Fast Switching），100% 雪崩测试
封装：TO-268

IXTT120N15P 是一款 150V / 120A 的低导通电阻 N 沟道增强型功率 MOSFET，具快速开关与 100% 雪崩测试能力，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N	150	±20	3~5	120	—	—	16 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	150	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流	120	A
I_DM	脉冲漏极电流	260	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	600	W
T_j	最大工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	150	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	3	5	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=60A	--	16	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=150V，V_GS=0V	--	25	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=150V，V_GS=0V，T_J=175℃	--	500	µA

源-漏二极管特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	二极管正向导通电压	I_F=120A，V_GS=0V	--	1.5	V

应用

开关模式与谐振模式电源高效开关电源与谐振拓扑的功率开关级，手册列明的主要应用方向。
DC-DC 变换器低压大电流 DC-DC 变换的同步整流与主开关。
交直流电机驱动逆变桥臂开关，用于 AC/DC 电机驱动与变频控制。
机器人与伺服控制伺服驱动器与机器人关节电机驱动的大电流功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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