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IXTT100N25P 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

最大漏极-源极电压（V_DSS）：250V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）；瞬态 ±30V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.5 ~ 5.0V（V_DS=V_GS，I_D=250µA）
最大漏极电流（I_D25）：100A @ T_C=25℃；单脉冲 I_DM=250A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：27mΩ（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率（P_D）：600W @ T_C=25℃
封装：TO-268

IXTT100N25P 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（PolarHT 系列），为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-268	Single-N	250	20	2.5~5.0	100	—	—	27 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	250	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D25	漏极电流（T_C=25℃）	100	A
I_D(RMS)	外部引线电流限值	75	A
I_DM	漏极电流（单脉冲，T_C=25℃）	250	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	600	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.21	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	250	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.5	--	5.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0	--	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V（T_J=125℃）	--	--	25（250）	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=0.5 I_D25	--	--	27	mΩ

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=I_S，V_GS=0V	1.5	V

应用

开关电源（SMPS）大功率开关电源主开关管、功率因数校正（PFC）、谐振变换器。
DC-DC 变换器工业级大电流降压/升压变换、同步整流、电源模块。
电机驱动与变频器工业电机驱动、变频调速、伺服驱动的功率级。
逆变器与 UPS光伏逆变器、储能变流器、不间断电源（UPS）功率转换。
电池充电与功率切换大电流充放电控制、负载开关、功率切换电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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