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IXTP80N12T2 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode），耐雪崩（Avalanche Rated）
系列：沟槽工艺，175℃ 工作结温，快恢复体二极管
最大漏极-源极电压（V_DSS）：120V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D）：80A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 200A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤17mΩ @ V_GS=10V，I_D=40A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.5 ~ 4.5V
总耗散功率（P_D）：325W @ T_C=25℃
高速开关，100% 雪崩测试，TO-220 封装

IXTP80N12T2 是一款 120V 的低导通电阻 N 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺系列），适用于 PFC、LCD/PDP 电视电源与高速开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-220	Single-N	120	±20	2.5~4.5	80	—	—	17 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_a=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~175℃）	120	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流（T_C=25℃）	80	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	200	A
P_D	总耗散功率	325	W
T_j	工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(ch-c)	结-壳热阻	0.46	℃/W
R_thCH	壳-散热器热阻（TO-220）	0.50	℃/W
R_th(ch-a)	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=0.25mA	120	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=0.1mA	2.5	--	4.5	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±200	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=120V，V_GS=0V，T_j=25℃	--	--	5	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=120V，V_GS=0V，T_j=150℃	--	--	175	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=40A，Note 1	--	--	17	mΩ

源-漏二极管特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=I_S=80A，V_GS=0V，Note 1	1.3	--	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

PFC 功率因数校正级开关电源 PFC 电路的功率开关，手册列明的首要应用方向。
LCD / PDP 电视电源平板电视电源板的主开关与整流级。
开关电源通用开关电源功率级。
高速开关应用高速功率开关场合。
同步整流与 DC/DC低压大电流同步整流与 DC/DC 变换。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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