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IXTP3N120 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode），耐雪崩（Avalanche Rated），快恢复体二极管
系列：High Voltage 高压功率 MOSFET，模塑环氧树脂通过 UL 94 V-0 阻燃等级
最大漏极-源极电压（V_DSS）：1200V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D25）：3A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 12A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤4.5Ω @ V_GS=10V，I_D=1.5A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.5 ~ 5.0V
总耗散功率（P_D）：200W @ T_C=25℃
封装：TO-220AB

IXTP3N120 是一款 1200V / 3A 的高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高压电源、电容放电与脉冲电路场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-220AB	Single-N	1200	±20	2.5~5.0	3	—	—	4.5 (Ω)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	1200	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	3	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	12	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	200	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.62	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=1mA	1200	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.5	--	5.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	25	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=125℃	--	--	1	mA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=1.5A，Note 1	--	--	4.5	Ω

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=3A，V_GS=0V，Note 1	1.5	--	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

高压电源（High Voltage Power Supplies）高压直流电源的功率开关与预稳压级，手册列明的首要应用方向。
电容放电应用（Capacitor Discharge）脉冲电容充放电控制，如脉冲激光、脉冲光源激励。
脉冲电路（Pulse Circuits）高压脉冲产生与调制电路的功率开关级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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