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IXTP2R4N120P 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode），耐雪崩（Avalanche Rated）
系列：Polar™ 高压功率 MOSFET，低栅电荷、低封装电感、快恢复体二极管
最大漏极-源极电压（V_DSS）：1200V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±30V（连续）
连续漏极电流（I_D25）：2.4A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 6A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：典型 6.5Ω / 最大 7.5Ω @ V_GS=10V，I_D=1.2A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.5 ~ 4.5V
总耗散功率（P_D）：125W @ T_C=25℃
封装：TO-220

IXTP2R4N120P 是一款 1200V / 2.4A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET（Polar™ 系列），适用于 DC-DC 变换器、开关/谐振电源与高压脉冲功率场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-220	Single-N	1200	±30	2.5~4.5	2.4	—	—	7.5 (Ω)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	1200	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	2.4	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	6.0	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	125	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	1200	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.5	--	4.5	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±30V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	5	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=125℃	--	--	300	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=1.2A，Note 1	6.5	--	7.5	Ω

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=2.4A，V_GS=0V，Note 1	1.5	--	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

DC-DC 变换器高压辅助电源与非隔离 DC-DC 的功率开关级。
开关/谐振模式电源离线式开关电源与谐振拓扑的高压侧开关。
AC/DC 电机驱动高压小功率电机驱动与控制。
激光驱动与点火器激光器驱动、点火器、射频发生器的脉冲开关。
高压脉冲功率应用高压脉冲产生与调制场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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