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IXTP26P10T 国产替代P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：P 沟道增强型（P-Channel Enhancement Mode），耐雪崩（Avalanche Rated）
系列：沟槽工艺，扩展 FBSOA，快恢复体二极管，低 R_DS(on) 与低栅电荷
最大漏极-源极电压（V_DSS）：-100V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±15V（连续）
连续漏极电流（I_D25）：-26A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM -80A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤90mΩ @ V_GS=-10V，I_D=-13A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.5 ~ -4.5V
总耗散功率（P_D）：150W @ T_C=25℃
封装：TO-220

IXTP26P10T 是一款 -100V / -26A 的 P 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺系列），适用于高压侧开关、推挽放大与电流调节场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-220	Single-P	-100	±15	-2.5~-4.5	-26	—	—	90 (mΩ)	P-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	-100	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±15	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	-26	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	-80	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	150	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.83	℃/W
R_thJA	结-环境热阻	62	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=-250µA	-100	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=-250µA	-2.5	--	-4.5	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±15V，V_DS=0V	--	--	±50	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	-10	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=125℃	--	--	-250	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V，I_D=-13A，Note 1	--	--	90	mΩ

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=-13A，V_GS=0V，Note 1	-1.5	--	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

高压侧开关（High-Side Switching）接在电源正端的高压侧负载通断，简化高压侧驱动设计。
推挽功率放大器P 沟道管作为推挽输出级的上管，配对大功率推挽电路。
电流调节器恒流调节与程控电流源。
自动测试设备（ATE）测试系统中的负载切换与程控电源开关通道。
电池充电应用电池充电器的功率开关与防反接保护。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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