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IXTP02N120P 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode），耐雪崩（Avalanche Rated）
系列：Polar™ 高压小电流功率 MOSFET，低栅电荷（Low Q_G）
最大漏极-源极电压（V_DSS）：1200V
最大栅极-源极电压（V_GSS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D25）：0.2A @ T_C=25℃；脉冲 I_DM 0.6A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤75Ω @ V_GS=10V，I_D=0.1A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
总耗散功率（P_D）：33W @ T_C=25℃
封装：TO-220

IXTP02N120P 是一款 1200V / 0.2A 的高压小电流 N 沟道功率 MOSFET（Polar™ 系列），适用于高压开关电源、电机控制、焊接及通用开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-220	Single-N	1200	±20	2.0~4.0	0.2	—	—	75 (Ω)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_J=25℃ unless otherwise specified）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（T_J=25~150℃）	1200	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D25	连续漏极电流（T_C=25℃）	0.2	A
I_DM	脉冲漏极电流（T_C=25℃，脉宽受结温限制）	0.6	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	33	W
T_J	工作结温范围	-55 ~ +150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ +150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thJC	结-壳热阻	3.8	℃/W

电气特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	1200	--	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.0	--	4.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±50	nA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V	--	--	1.0	µA
I_DSS	漏极关断电流	V_DS=V_DSS，V_GS=0V，T_J=125℃	--	--	25	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=0.1A，Note 1	--	--	75	Ω

源-漏二极管特性（T_J=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_F=0.2A，V_GS=0V，Note 1	1.3	--	V

Note 1：脉冲测试，t ≤ 300µs，占空比 d ≤ 2%。

应用

开关电源（SMPS）高压开关电源的启动与辅助开关级，手册列明的首要应用方向。
电机控制高压小功率电机驱动与控制。
焊接设备焊接电源中的高压开关级。
通用开关应用通用型高压小电流开关与限流电阻切换场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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