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IXTN60N50L2 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：500V（Min）
漏极电流 I_D：53A @ T_C=25℃
脉冲漏极电流 I_DM：150A
导通电阻 R_DS(on)：100mΩ（Max）@ V_GS=20V、I_D=30A
总耗散功率 P_D：735W @ T_C=25℃
栅源电压 V_GS：±30V
封装：SOT-227（miniBLOC，螺栓安装）

IXTN60N50L2 是一款 500V/53A 的 N 沟道功率 MOSFET，导通电阻低至 100mΩ、耗散功率 735W，采用 SOT-227 螺栓安装封装，散热能力与可靠性突出，适用于 DC-DC 转换器、直流斩波器与大功率电池充电器等场合，为艾赛斯（IXYS）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (mΩ)	P_D (W)	T_j (℃)
SOT-227	500	53	100	735	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	53	A
I_DM	脉冲漏极电流（受 T_JM 限制）	150	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	735	W
T_JM	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	500	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=500V；V_GS=0V	--	50	µA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±200	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	2.5	5.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=20V；I_D=30A	--	100	mΩ
V_SD	源漏正向电压	I_S=60A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

DC-DC 转换器开关型 DC-DC 功率变换。
直流斩波器直流电机斩波调速（DC chopper）。
电池充电器大功率电池充电电源。
大功率开关电源高功率密度开关电源主开关管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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