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IXTH3N150 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：1500V（Min）
漏极电流（I_D）：3A @ T_C=25℃
静态导通电阻：R_DS(on)=7.3Ω（Max）@ V_GS=10V
100% 雪崩测试（100% avalanche tested）
低批次间波动（Minimum Lot-to-Lot variations）
总耗散功率（P_D）：250W
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.50℃/W
封装：TO-247

IXTH3N150 是一款 1500V/3A N 沟道高压功率 MOSFET，具有极高耐压与 100% 雪崩测试特性，适用于高压电源、电容放电电路与脉冲电路应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	P_D (W)	Structure
TO-247	Single-N	1500	±30	3	9	7300	2.5 ~ 5.0	250	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	1500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	3	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	9	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	250	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.50	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	1500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.5	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=1.5A	--	7.3	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=1500V；V_GS=0	--	10	µA
V_SD	正向导通电压	I_S=3A；V_GS=0	--	1.3	V

应用

高压电源高压电源（High Voltage Power Supplies）应用。
电容放电电路电容放电电路（Capacitor Discharge Applications）应用。
脉冲电路脉冲电路（Pulse Circuits）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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