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IXTH10P50PP-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：-500V（Min）
漏极电流（I_D）：-10A（单脉冲 -30A）
低导通电阻：R_DS(on)≤1.0Ω @ V_GS=-10V，I_D=-5A
漏极耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2 ~ -4.5V
雪崩额定，快速本征二极管
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IXTH10P50P 是一款硅 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 -500V/-10A 的电压电流能力与 1.0Ω 的导通电阻，雪崩额定、封装电感低、本征二极管快，适用于高端开关、推挽放大器、直流斩波器与电流调节器等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-247	P-Channel	-500	±20	-10	-30	300	1.0	-2 ~ -4.5	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续） @ T_C=25℃	-10	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-30	A
P_D	漏极耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.42	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-0.25mA	-500	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-500V；V_GS=0V	--	-10	µA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-5A	--	1.0	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-5A；V_GS=0V	--	-3.0	V

应用

高端开关高端开关（High-side switches）应用。
推挽放大器推挽放大器（Push pull amplifiers）应用。
直流斩波器直流斩波器（DC choppers）应用。
电流调节器电流调节器（Current regulators）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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