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IXTA50N20P 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：200V
漏极电流 I_D：50A @ T_C=25℃（脉冲 I_DM=120A）
导通电阻 R_DS(on)：60mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=50A
栅极阈值电压 V_GS(th)：2.5 ~ 5.0V
耗散功率 P_D：360W @ T_C=25℃
雪崩额定，适合高频开关与同步整流
封装：TO-263（D²PAK）

IXTA50N20P 是一款 200V/50A 的 N 沟道功率 MOSFET，导通电阻仅 60mΩ、栅极电荷低、具备雪崩额定能力，适用于 DC/DC 变换器、高频开关与同步整流等场合，为艾赛斯（IXYS）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (mΩ)	P_D (W)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-263	200	50	≤60	360	2.5 ~ 5.0	-55 ~ 175

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	200	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	50	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	120	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	360	W
T_j	工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.42	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=250µA	200	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	2.5	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=50A	--	60	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=V_DSS；V_GS=0	--	25	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=V_DSS；V_GS=0；T_j=150℃	--	250	µA
V_SD	正向导通电压（体二极管）	I_F=50A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

DC/DC 变换器开关型 DC/DC 转换与功率变换。
高频开关高频开关电源（Ideal for high-frequency switching）。
同步整流同步整流与低压大电流输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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