IXFT50N85XHV 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：850V
连续漏极电流（I_D）：50A @ T_C=25℃
脉冲漏极电流（I_DM）：125A
导通电阻：R_DS(on)≤105mΩ @ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.5 ~ 5.5V
总耗散功率（P_D）：890W @ T_C=25℃
雪崩额定，快速本征二极管
封装：TO-268HV（D3PAK）

IXFT50N85XHV 是一款 850V 高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-268HV 表面贴装封装，具有 50A 的连续电流能力与 105mΩ 的低导通电阻，雪崩额定、开关损耗低、封装电感小，适用于开关电源、谐振电源、PFC 电路与 AC/DC 电机驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-268HV	850	±30	50	125	890	≤105 mΩ	3.5~5.5	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	850	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	连续漏极电流 @ T_C=25℃	50	A
I_DM	脉冲漏极电流（脉宽受 T_JM 限制）	125	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	890	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.14	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	850	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=4mA	3.5	5.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=25A	--	105	mΩ
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=850V；V_GS=0V	--	50	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=50A；V_GS=0V	--	1.4	V

应用

开关电源与谐振电源开关模式与谐振模式电源（SMPS / Resonant-Mode Power Supplies）。
功率因数校正功率因数校正（PFC）电路。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC Converters）应用。
电机驱动AC 与 DC 电机驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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