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IXFP7N100P 国产替代N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：1000V
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：7.0A @ T_C=25℃
漏极脉冲电流（I_DM）：18A
耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
静态导通电阻（R_DS(on)）：1.9Ω（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 6.0V
100% 雪崩测试，批次一致性高
封装：TO-220AB

IXFP7N100P 是一款 1000V / 7A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，导通电阻 1.9Ω，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、开关电源与电磁阀驱动。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220AB	1000	±30	7.0	18	300	1.9	3.0 ~ 6.0	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	1000	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	7.0	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	18	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.42	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	1000	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1.0mA	3.0	6.0	V
R_DS(on)	静态导通电阻	V_GS=10V；I_D=3.5A	--	1.9	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±0.1	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=1000V；V_GS=0	--	15	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=7A；V_GS=0	--	1.3	V

应用

电机驱动变频器与直流电机的高压驱动级。
DC-DC 变换器高压输入的反激、正激与谐振变换器主开关。
开关电源1000V 母线电压场合的功率开关。
电磁阀驱动工业电磁阀与继电器的高压侧驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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