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IXFK120N65X2 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道功率 MOSFET（HiPerFET 结构）
漏-源电压（V_DSS）：650V（Min）
栅-源电压（V_GS）：±30V（连续）
连续漏极电流（I_D）：120A @ T_C=25℃；单脉冲 I_DM：240A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：24mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=60A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.5 ~ 5.0V
总耗散功率（P_D）：1250W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.10℃/W；100% 雪崩测试
封装：TO-3PL（TO-264）

IXFK120N65X2 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用高能雪崩耐受结构，具有低导通电阻、大电流与低热阻特性，经 100% 雪崩能量测试，适用于电机驱动、DC/DC 变换器、功率开关与螺线管驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds(on)	Rth(j-c)	PD (W)	Technology
TO-3PL (TO-264)	Single-N	650	±30	3.5~5.0	120	24 (mΩ)	0.10 (℃/W)	1250	N-Ch HiPerFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	650	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	120	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	240	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	1250	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.10	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=3mA	650	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=8mA	3.5	5.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=60A	--	24	mΩ
I_GSS	栅极漏电流	V_GS=±30V，V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=650V，V_GS=0V	--	50	µA
V_SD	源-漏二极管正向压降	I_S=120A，V_GS=0V	--	1.4	V

应用

电机驱动电机驱动电路中的功率开关。
DC/DC 变换器DC/DC 变换器功率级。
功率开关大功率开关与硬开关应用。
螺线管驱动电磁阀/螺线管驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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