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ISP33N10LN-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：100V
连续漏极电流（I_D）：33A @ T_C=25℃
脉冲漏极电流（I_DM）：132A
导通电阻：R_DS(on)≤52mΩ @ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：1 ~ 2V
总耗散功率（P_D）：127W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，批次一致性高
封装：TO-220

ISP33N10L 是 ISC 自主型号硅 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，具有 100V/33A 的电压电流能力与 52mΩ 的低导通电阻，开关速度快、批次一致性高，适用于开关电源、变换器以及 AC/DC 电机控制等场合。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220	100	±20	33	132	127	≤52 mΩ	1~2	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	100	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	连续漏极电流	33	A
I_DM	脉冲漏极电流（单脉冲）	132	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	127	W
T_j	最高工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	通道-壳热阻	1.18	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	100	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	1	2	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=16.5A	--	52	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=100V；V_GS=0V	--	1	µA
I_DSS	漏源漏电流（高温）	V_DS=80V；V_GS=0V；T_J=150℃	--	10	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=33A；V_GS=0V	--	2.0	V

应用

开关电源开关电源（Switching Power Supplies）。
变换器变换器（Converters）。
电机控制AC 与 DC 电机控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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