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ISF1399N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：500V（Min）
漏极电流 I_D：28A @ T_C=25℃
导通电阻 R_DS(on)：0.25Ω（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率 P_D：310W @ T_C=25℃
单脉冲漏极电流 I_DM：100A
栅源电压 V_GS：±30V
封装：TO-247

ISF1399 是一款 500V/28A 的 N 沟道功率 MOSFET，导通电阻低至 0.25Ω，耗散功率达 310W，开关损耗低、热阻小，适用于 DC/DC 转换器、开关电源 PWM 控制器及电机驱动等场合。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	T_j (℃)
TO-247	500	28	0.25	310	-55 ~ 150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	28	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	100	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	310	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.40	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	500	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=500V；V_GS=0V	--	25	µA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=14A	--	0.25	Ω
V_SD	正向导通电压	I_S=20A；V_GS=0V	--	1.8	V

应用

DC/DC 转换器开关型 DC/DC 功率变换。
开关电源PWM 控制器主开关管。
电机驱动直流电机、步进电机驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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