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ISCW13NK100ZN-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：1000V（Min）
漏极电流（I_D）：13A @ T_C=25℃（脉冲 52A）
静态导通电阻：R_DS(on)=0.7Ω（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 4.5V
总耗散功率（P_D）：350W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，批次一致性好
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.36℃/W
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

ISCW13NK100Z 是 ISC 自主型号 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 1000V 的漏源电压、13A 的漏极电流与 0.7Ω 的低导通电阻，100% 雪崩测试、批次一致性好，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、功率开关与电磁阀驱动等高压场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247	N-Channel	1000	±30	13	52	350	0.7	3.0~4.5	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	1000	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	13	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	52	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	350	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.36	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	1000	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=150µA	3.0	4.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=6.5A	--	0.7	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V	--	±10	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=1000V；V_GS=0V	--	1	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=8.3A；V_GS=0V	--	1.6	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
功率开关与电磁阀驱动功率开关与电磁阀驱动（Power switch and solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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