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ISCP58PSilicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-300V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-300V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-300V（Min）
集电极电流（I_C）：-2A（脉冲 -4A）
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.8V（Max）@ I_C=-500mA，I_B=-50mA
直流电流增益（h_FE）：50 ~ 250 @ I_C=-50mA
封装：TO-220

ISCP58P 是一款 -300V / -2A 的 PNP 硅功率三极管，采用 TO-220 封装，与 ISCN58P（NPN）互补配对，h_FE 线性好、饱和压降低，适用于 DC/DC 变换器、互补推挽输出与通用开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220	Single-P	-300	-300	-5	-2	30	-0.8	50	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-300	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-300	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-0.8	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-300V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-50mA；V_CE=-8V	50	250	--
f_T	特征频率	I_E=-0.5A；V_CE=-12V（典型值）	--	30	MHz

应用

互补推挽输出与 ISCN58P（NPN）配对，用于推挽功率级。
DC/DC 变换器高压侧的开关管与电流源负载。
线性稳压负压稳压与串联调整。
通用开关电路高边开关与电平转换。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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