N-Channel MOSFET Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
ISCNL256N 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-3PN 封装，具有 60V/60A 的电压电流能力与 11mΩ 的低导通电阻，开关速度快、通过 100% 雪崩测试，批次一致性好，并已通过 AEC-Q101 车规级认证，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）及汽车电子等对可靠性要求较高的应用。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | RDS(on) (mΩ) | VGS(th) (V) | PD (W) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3PN | Single-N | 60 | ±20 | 60 | 240 | 11 | 0.8~2.0 | 150 | Silicon N-Ch |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压（VGS=0） | 60 | V |
| VGS | 栅-源电压 | ±20 | V |
| ID | 漏极电流（连续）@ TC=25℃ | 60 | A |
| IDM | 漏极电流（单脉冲） | 240 | A |
| Ptot | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 150 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 1054 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 60 | A |
| EAR | 重复雪崩能量 | 15 | mJ |
| Tj | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 0.833 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0；ID=10mA | 60 | -- | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=1mA | 0.8 | 1.7 | 2.0 | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V；ID=30A | -- | -- | 11 | mΩ |
| IGSS | 栅-源漏电流 | VGS=±20V；VDS=0 | -- | -- | ±10 | µA |
| IDSS | 零栅压漏电流 | VDS=60V；VGS=0 | -- | -- | 100 | µA |
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V；VDS=25V；f=1.0MHz | -- | 3795 | -- | pF |
| Coss | 输出电容 | VGS=0V；VDS=25V；f=1.0MHz | -- | 1456 | -- | pF |
| Crss | 反向传输电容 | VGS=0V；VDS=25V；f=1.0MHz | -- | 1101 | -- | pF |
| RG | 栅极电阻 | f=1.0MHz；open drain | -- | 0.75 | -- | Ω |
| Qg | 总栅电荷 | VDD=64V；ID=100A；VGS=10V | -- | 338 | -- | nC |
| Qgs | 栅-源电荷 | VDD=64V；ID=100A；VGS=10V | -- | 12 | -- | nC |
| Qgd | 栅-漏电荷 | VDD=64V；ID=100A；VGS=10V | -- | 175 | -- | nC |
| td(on) | 开通延迟时间 | VDD=40V；ID=100A；RG=25Ω | -- | 45 | -- | ns |
| tr | 开通上升时间 | VDD=40V；ID=100A；RG=25Ω | -- | 178 | -- | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | VDD=40V；ID=100A；RG=25Ω | -- | 1062 | -- | ns |
| tf | 关断下降时间 | VDD=40V；ID=100A；RG=25Ω | -- | 830 | -- | ns |
| ISD | 连续源电流 | TC=25℃ | -- | 100 | -- | A |
| ISM | 脉冲源电流 | TC=25℃ | -- | 400 | -- | A |
| VSD | 体二极管正向电压 | IS=60A；VGS=0 | -- | 1.7 | -- | V |
| trr | 反向恢复时间 | VDD=40V；IF=30A；diF/dt=100A/µs | -- | 210 | -- | ns |
| Qrr | 反向恢复电荷 | VDD=40V；IF=30A；diF/dt=100A/µs | -- | 1.5 | -- | µC |
单脉冲雪崩能量测试条件：VDD=25V，L=0.4µH，RG=25Ω，IAR=60A。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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