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ISCNH373FN-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压 V_DSS：1500V（Min）
漏极电流 I_D：3.0A @ T_C=25℃，I_DM：12A 单脉冲
静态导通电阻 R_DS(on)：≤6.5Ω（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率 P_D：45W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试
批间一致性好，适合高可靠性设计
封装：TO-247

ISCNH373F 是一款 1500V/3A N 沟道功率 MOSFET，TO-247 封装，导通电阻 ≤6.5Ω，100% 雪崩测试，批间参数一致性好，适合高压开关电源、DC-DC 变换器与高速功率开关等场合。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-247	1500	3.0	≤6.5	45	2.5 ~ 4.5	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	1500	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	3.0	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	12	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	45	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道到壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	1500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.5	4.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=1.5A	5.0	6.5	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±0.1	μA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=1500V；V_GS=0V	--	10	μA
V_SD	二极管正向压降	I_F=3A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

高速功率开关高压、高速的功率开关场合（High speed power switching）。
开关稳压器开关电源（SMPS）主开关管与稳压器。
DC-DC 变换器高压输入 DC-DC 变换器的开关级。
逆变与脉冲电路高压脉冲、逆变与储能放电电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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