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ISCND217PNPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：100V（Min）
直流电流增益（h_FE）：150（Min）@ I_C=0.8A
集电极电流（I_C）：6A（连续）/ 10A（峰值）
集电极耗散功率（P_C）：65W @ T_C=25℃
批间参数波动小，器件性能稳健可靠
封装：TO-220C（B-C-E 引脚）

ISCND217P 是一款 100V/6A NPN 功率三极管，TO-220C 封装，电流增益高（hFE≥150）、维持电压 100V，适用于通用放大与开关应用，具备批间一致性好的稳健器件性能。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-220C	100	6	10	65	150~250	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流	3	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	65	W
P_C	集电极耗散功率（T_a=25℃）	2	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.92	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=6A；I_B=1.5A	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=6A；V_CE=4V	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	0.4	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0	--	0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.8A；V_CE=2V	150	250	--

应用

通用放大通用放大电路（General purpose amplifier）。
通用开关通用开关应用（General purpose switching）。
功率驱动中等功率驱动与输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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