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ISCN70DSilicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO）：250V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：300V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：0.1A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 300 @ I_C=10mA
特征频率（f_T）：200MHz（Min）@ I_E=30mA
输出电容（C_ob）：3.5pF（Max）@ V_CB=30V
封装：TO-252（DPAK，1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

ISCN70D 是一款硅 NPN 外延平面高频功率三极管，采用 TO-252（DPAK）贴片封装，具有 250V 的集电极-发射极耐压、200MHz 的特征频率与 3.5pF 的低输出电容，可将高分辨率显示器视频带宽提升至 50MHz，适用于高分辨率显示器视频输出级与宽带视频放大电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	f_T (MHz)	Structure
TO-252 (DPAK)	Single-N	300	250	5	0.1	10	60~300	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	250	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	100	nA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=3V；I_C=0	--	100	nA
h_FE	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=10V	60	300	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10mA；I_B=1mA	--	0.3	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=10mA；I_B=1mA	--	1.2	V
f_T	特征频率	I_E=30mA；V_CE=30V	200	--	MHz
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=30V；f=1.0MHz	--	3.5	pF

h_FE 分档

M	L	K
60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 300

应用

高分辨率显示器视频输出级高分辨率显示器（High-resolution monitor TV）视频输出级应用。
宽带视频放大50MHz 宽带视频放大电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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