ISCN456FSilicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：600V（Min）
集电极-基极击穿电压（V_(BR)CBO）：1000V（Min）
集电极电流（I_C）：5A，脉冲 10A
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
高开关速度、宽安全工作区（SOA）
批次间参数一致性好，工作稳定可靠
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=3A
封装：TO-220F（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

ISCN456F 是一款硅 NPN 高压功率三极管，采用 TO-220F 全包封，具有 600V 集电极-发射极电压、1000V 集电极-基极电压与 5A 集电极电流能力，耗散功率 50W，具备高开关速度与宽安全工作区（SOA），批次间参数一致性好，适用于高压开关电源、逆变器、电子镇流器等高压开关场景。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	1000	600	7	5	1.0	20	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1000	V
V_CEO	集电极-发射极电压	600	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	10	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	600	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	1000	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=1000V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.6A；V_CE=5V	20	--	--

应用

开关电源高压开关电源（SMPS）的功率开关应用。
逆变器逆变器与变频电路的功率开关应用。
电子镇流器荧光灯电子镇流器的开关驱动应用。
不间断电源UPS 与储能变流设备的功率级应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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