ISCN1899Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极-发射极电压（V_CEO）：260V
集电极电流（I_C）：15A，基极电流 4A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5A
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 140 @ I_C=5A
大电流、低饱和压降、高耗散功率
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

ISCN1899 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-3PN 封装，具有 300V 集电极-基极电压、260V 集电极-发射极电压与 15A 集电极电流能力，耗散功率 150W，结到壳热阻仅 0.83℃/W，饱和压降低、电流容量大，适用于 DC-DC 变换器、电磁阀与电机驱动以及音频功放等大电流场景。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-N	300	260	5	15	2.0	40	140	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	260	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结到壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=25mA；I_B=0	260	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	300	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=7A；V_CE=5V	--	1.5	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=260V；I_B=0	--	0.1	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=300V；I_E=0	--	0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	40	140	--

应用

DC-DC 变换器降压/升压 DC-DC 变换器的功率开关应用。
电磁阀驱动电磁阀、电磁铁等电感性负载的驱动应用。
电机驱动直流电机与步进电机的功率驱动应用。
音频功放大功率音频放大器的输出级应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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