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ISCD41CSilicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：6A（峰值 10A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=6A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_c=25℃（1.75W @ T_a=25℃）
直流电流增益（h_FE）：15 ~ 75 @ I_C=3A
开关时间：t_on≤0.6µs，t_off≤1.0µs
结-壳热阻（R_{th j-c}）：6.25℃/W
与 MJD42C（PNP）互补配对
封装：TO-252（DPAK）（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

ISCD41C 是 ISC 自主型号硅 NPN 功率三极管，采用 TO-252（DPAK）封装，具有 100V/6A 的电压电流能力、1.5V 的低饱和压降与 20W 的耗散功率，开关速度快（t_on≤0.6µs、t_off≤1.0µs），适用于低功率音频放大与低电流高速开关等应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252 (DPAK)	Single-N	100	100	5	6	1.5	15	75	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_c=25℃	20	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.75	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	71.4	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.6A	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=6A；V_CE=4V	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	10	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0	--	50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.5	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.3A；V_CE=4V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	15	75	--
f_T	特征频率	I_C=0.5A；V_CE=10V	3	--	MHz
t_on	开通时间	I_C=6A；I_B1=-I_B2=0.6A	--	0.6	µs
t_off	关断时间	I_C=6A；I_B1=-I_B2=0.6A	--	1.0	µs

应用

低功率音频放大低功率音频放大（Low power audio amplifier）应用。
低电流高速开关低电流高速开关（Low-current, high-speed switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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