Silicon PNP Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
ISCD18143P 是硅 PNP 功率三极管，具有 -60V/-15A 的电压电流能力、低饱和压降与高直流电流增益，采用 TO-252（DPAK）贴片封装，适用于 DC/DC 转换器与执行器的驱动级，与 ISCD18143N（NPN）互补配对。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-252 | Single-P | -100 | -60 | -7.0 | -15 | -0.3 | 100 | 400 | Silicon PNP |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -100 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -60 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -7.0 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -15 | A |
| ICM | 集电极电流（脉冲） | -30 | A |
| IB | 基极电流（连续） | -7.5 | A |
| PT | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 20 | W |
| TJ | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-8A；IB=-0.8A；L=1mH | -60 | -- | V |
| VCEX(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-8A；IB1=-IB2=-0.8A；VBE(OFF)=1.5V；L=180µH | -60 | -- | V |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-8A；IB=-0.4A | -- | -0.3 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-12A；IB=-0.6A | -- | -0.5 | V |
| VBE(sat)-1 | 基极-发射极饱和压降 | IC=-8A；IB=-0.4A | -- | -1.2 | V |
| VBE(sat)-2 | 基极-发射极饱和压降 | IC=-12A；IB=-0.6A | -- | -1.5 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-60V；IE=0 | -- | -10 | µA |
| ICER | 集电极截止电流 | VCE=-60V；RBE=50Ω；Ta=125℃ | -- | -1.0 | mA |
| ICEX | 集电极截止电流 | VCE=-60V；VBE(off)=-1.5V | -- | -10 | µA |
| ICEX | 集电极截止电流 | VCE=-60V；VBE(off)=-1.5V；Ta=125℃ | -- | -1.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V；IC=0 | -- | -10 | µA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-1.5A；VCE=-2V | 100 | -- | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-3.0A；VCE=-2V | 100 | 400 | -- |
| hFE-3 | 直流电流增益 | IC=-8.0A；VCE=-2V | 60 | -- | -- |
| Cob | 输出电容 | IE=0；VCB=-10V；f=1MHz | -- | 300 | pF |
| fT | 特征频率 | IC=-1.5A；VCE=-10V | 80 | -- | MHz |
| M | L | K |
|---|---|---|
| 100 - 200 | 150 - 300 | 200 - 400 |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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