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ISCD18143NSilicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：15A（脉冲 30A）
饱和压降：V_CE(sat)=0.3V（Max）@ I_C=8A，I_B=0.4A
直流电流增益（h_FE）：100（Min）@ I_C=3A
总耗散功率（P_T）：20W @ T_C=25℃
特征频率（f_T）：120MHz；输出电容（C_ob）：180pF
最小批次间差异，性能稳定可靠
封装：TO-252（DPAK）

ISCD18143N 是硅 NPN 功率三极管，具有 60V/15A 的电压电流能力、低饱和压降与高直流电流增益，采用 TO-252（DPAK）贴片封装，适用于 DC/DC 转换器与执行器的驱动级。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252	Single-N	100	60	7.0	15	0.3	100	400	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	30	A
I_B	基极电流（连续）	7.5	A
P_T	总耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_j=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=50mA；I_B=0	60	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.4A	--	0.3	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=12A；I_B=0.6A	--	0.5	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.4A	--	1.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=12A；I_B=0.6A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=60V；I_E=0	--	10	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=2V	100	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=2V	100	400	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=2V	60	--	--
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1MHz	--	180	pF
f_T	特征频率	I_C=1.5A；V_CE=10V	120	--	MHz

h_FE 分档

M	L	K
100 - 200	150 - 300	200 - 400

应用

DC/DC 转换器用作 DC/DC 转换器的驱动级（Driver in DC/DC converters）。
执行器驱动执行器（Actuators）驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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