N-Channel Power MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
ISC4N1350 是 ISC 自主型号硅 N 沟道高压功率 MOSFET，具有 1500V/4A 的电压电流能力与 140W 的总耗散功率，适用于开关应用、负载开关与电源管理等场合。
| Package | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | PD (W) | RDS(on) | VGS(th) (V) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- | 1500 | ±30 | 4 | 10 | 140 | ≤9.0 Ω | 3.0~6.0 | Silicon N-Channel |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏源电压 | 1500 | V |
| VGS | 栅源电压（连续） | ±30 | V |
| ID | 连续漏极电流 | 4 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（单脉冲） | 10 | A |
| PD | 总耗散功率 | 140 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 2.0 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V；ID=1mA | 1500 | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=0.25mA | 3.0 | 6.0 | V |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V；ID=1.3A | -- | 9.0 | Ω |
| IGSS | 栅极-体漏电流 | VGS=±30V；VDS=0V | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=1500V；VGS=0V | -- | 10 | µA |
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V；VDS=25V；f=1.0MHz | -- | 1600 | pF |
| Crss | 反向传输电容 | 同上 | -- | 33 | pF |
| Coss | 输出电容 | 同上 | -- | 100 | pF |
| Qg | 总栅电荷 | VDD=750V；ID=3A；VGS=0~10V | -- | 36 | nC |
| Qgs | 栅源电荷 | 同上 | -- | 9.5 | nC |
| Qgd | 栅漏（米勒）电荷 | 同上 | -- | 12 | nC |
| td(on) | 开通延迟时间 | VDD=750V；ID=3A；VGS=10V；Rg=4.7Ω | -- | 25 | ns |
| tr | 上升时间 | 同上 | -- | 48 | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | 同上 | -- | 57 | ns |
| tf | 下降时间 | 同上 | -- | 52 | ns |
| ISD | 连续源极电流（体二极管） | —— | -- | 4.0 | A |
| ISM | 脉冲源极电流（体二极管） | —— | -- | 10 | A |
| VSD | 体二极管正向压降 | ISD=4A；VGS=0V | -- | 1.63 | V |
| trr | 反向恢复时间 | IF=4A；di/dt=100A/µs | -- | 255 | ns |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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