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ISC0520Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：400V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：450V
集电极电流（I_C）：6A（峰值 10A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
高直流电流增益（h_FE）：1000（Min）@ I_C=3A，V_CE=5V
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.08℃/W
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

ISC0520 是一款硅 NPN 高耐压功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 400V/6A 的电压电流能力、60W 的集电极耗散功率与 h_FE≥1000 的高电流增益，饱和压降低、批次一致性好，适用于继电器与电磁阀驱动、电机控制及电子点火等感性负载开关场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	450	400	5	6	1.5	1000	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	450	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=50mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=450V；I_E=0	--	1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流（高温）	V_CB=450V；I_E=0；T_J=125℃	--	5.0	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=400V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=5V	1000	--	--

应用

电磁阀 / 继电器驱动电磁阀、继电器驱动（Solenoid / relay drivers）应用。
电机控制电机控制（Motor control）应用。
电子汽车点火电子汽车点火（Electronic automotive ignition）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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